壓電和介電元件n通過測試應用所有必要的方法來執行認證過程，從而在標準中規定的所有程序。
TS EN 168101空白詳細規範：石英晶體單元（合格驗收）
TS EN 168201空白詳細規格：石英晶體單元（質量認證）
TS EN 169201空白詳細規範：石英晶體控制振盪器（質量認證）
TS EN 60444-1零相位技術測量網絡中的石英晶體單元參數 - 第1部分
TS EN 60368-2-2壓電篩 - 第2部分：壓電篩的操作說明書 - 第2部分：壓電陶瓷篩（IEC60368-2-2：1999）
TS EN 170100部件特徵標準 - 波導型介質諧振器
TS EN 170101腔 - 帶波導的介質諧振器 - 能力認可
TS EN 60368-4-1質量評估的壓電濾波器 - 第4-1部分：空白詳細規範 - 能力批准
TS EN 60679-5石英晶體控制振盪器 - 質量控制 - 部分5：部件功能 - 質量認證
TS EN 60679-5-1石英晶體控制振盪器 - 質量控制 - 第5部分：空白詳細信息 - 質量認證
TS EN 60368-4質量評估壓電濾波器部分4：部分特性 - 能力批准
TS EN 60368-4-1質量評估的壓電濾波器 - 第4-1部分：空白詳細規範 - 能力批准
TS EN 60444-7石英晶體單元參數測量 - 第7部分：石英晶體單元操作和頻率降低的測量
TS EN 60444-8石英晶體單元參數測量 - 第8部分：表面安裝石英晶體單元的測試夾具
TS EN 60122-1經質量評估的石英晶體單元 - 部分1：通用規範標準
TS EN 60444-1 / A1使用零相位技術測量網絡中的石英晶體單元參數 - 第1部分
TS EN 168201石英晶體單元（質量認證） - 空白詳細規範
TS EN 60444-1 / A1使用零相位技術測量π電路中的石英晶體單元參數1：使用零相位技術測量π電路中石英晶體單元的諧振電阻和諧振頻率的基本方法
TS EN 60444-9石英晶體單元參數的測量 - 第9部分：壓電晶體單元的假共振測量
TS EN 60684-2柔性絕緣套管 - 第2部分：試驗方法
TS EN 62604-2表面聲波（SAW）和疊層聲波（BAW）對
TS EN 60122-3優質石英晶體單元 - 部件3：標準主要尺寸和支腳連接
TS EN 60368-3質量評估的壓電濾波器 - 第3部分：標準主要尺寸和支腳連接
TS EN 61837-1用於頻率控制和選擇的表面塗層電氣設備 - 標準氣流和前端連接 - 第1部分：塑料鑄塗模具
TS EN 62575-2射頻（RF）聲波濾波器（BAW）質量評估 - 第2部分：用戶手冊
TS EN 60679-3液晶控制振盪器 - 質量保證 - 第3部分：標準外形和腿部連接
TS EN 60444-6石英晶體單元參數的測量 - 章節6：驅動電平依賴性的測量（ssb）
TS EN 61837-2 / A1用於頻率控制和選擇的表面貼裝壓電元件 - 標準外形和終端連接 - 第2部分：陶瓷外殼
TS EN 62761用於測量射頻（RF）表面聲波（SAW）和體積聲波（BAW）元件的非線性的基本原理
TS EN 62575-1質量評估射頻（RF）集體聲波（BAW）濾波器 - 第1部分：通用標準
TS EN 62604-1質量評估表面聲波（SAW）和集體聲波（BAW）雙工 - 第1部分：通用標準
TS EN 60862-1合格的表面聲波濾波器：第1部分：通用規範標準
TS EN 61837-3用於頻率控制和選擇的表面安裝式pizoelectronic器件 - 標準框架和端部銅連接 - 第3部分：金屬塗層
TS EN 60758合成石英晶體 - 規格和使用說明
TS EN 62276用於表面聲波應用的單晶板 - 規範和測量方法
TS EN 61240壓電元件 - 用於頻率控制和選擇的表面安裝元件（SMD）外形圖的製備 - 一般規則
TS EN 50324-1陶瓷材料和部件的壓電特性 - 第1部分：術語和定義
TS EN 50324-2陶瓷材料和元件的壓電特性 - 第2部分：低功耗測量方法
TS EN 50324-3陶瓷材料和元件的壓電特性 - 第3部分：測量方法 - 高功率
TS EN 61967-5集成電路 - 150 khz - 1 ghz電磁輻射的測量 - 第5部分：接觸傳輸的測量 - 台式法拉第籠法
TS EN 61967-6集成電路 - 150 khz - 1 ghz電磁輻射的測量 - 第6部分：接觸傳輸的測量 - 磁探針法
TS EN 61967-4 / A1集成電路-150 kHz至1 ghz電磁發射測量 - 第4部分：發射發射的測量-1 / 150直接耦合方法
TS EN 61967-6 / A1集成電路 - 150 khz - 1 ghz電磁輻射的測量 - 第6部分：接觸傳輸的測量 - 磁探針法
TS EN 62090使用條形碼和二維符號的電子元件的產品包裝標籤
TS EN 62132-5集成電路 - 頻率範圍為150 khz至1 gHz的電磁抗擾度測量 - 第5部分：測試台的法拉第籠方法
TS EN 62132-3集成電路 - 頻率範圍為150 khz至1 gHz的電磁抗擾度測量 - 第3部分：質量電流注入法
TS EN 62132-4集成電路 - 頻率範圍為150 khz至1 gHz的電磁抗擾度測量 - 第4部分：干擾射頻功率的直接方法
TS EN 62132-2：2011集成電路 - 電磁抗擾度測量 - 第2部分：輻照抗擾度測量 - Tem電池和寬帶電池方法
TS EN 62258-5半導體模塑產品 - 第5部分：電氣模擬信息規則
TS EN 62258-6半導體成型產品 - 第6部分：熱模擬信息指南
TS EN 62417半導體器件 - 金屬氧化物半導體場效應晶體管（mosfet）的移動離子實驗
TS EN 62433-2仿真建模 - 第2部分：用於emi行為仿真的集成電路模型 - 通過傳輸進行的傳輸建模（icce-Ce）
TS EN 165000-1薄膜和混合集成電路 - 第1部分：一般特性 - 能力批准程序
TS EN 165000-2薄膜和混合集成電路 - 部分2：內部目視檢查和特殊測試
TS EN 165000-3薄膜和混合集成電路 - 第3部分：薄膜和混合集成電路製造商的自檢清單和報告
TS EN 165000-4薄膜和混合集成電路 - 第4部分：客戶信息，產品評估等級計劃和空白詳細規範
TS EN 165000-5薄膜和混合集成電路 - 第5部分：質量審批流程
TS EN 190000一般功能：單片集成電路
TS EN 190100器件特性：數字單片集成電路
TS EN 190101系列特性：數字集成ttl電路，54，64，74，84系列
TS EN 190102系列特性：Ttl肖特基數字集成電路，54，64，74，84s系列
TS EN 190103系列特性：數字集成ttl低功耗肖特基電路，54ls，64ls，74ls，84ls系列
TS EN 190106系列特性：Ttl先進的低功耗肖特基數字集成電路，54als和74als系列
TS EN 190107系列特性：Ttl快速數字集成電路，54f和74f系列
TS EN 190108系列特性：Ttl高級肖特基數字集成電路，54as和74as系列
TS EN 190109系列特性：數字集成hc mos電路，hc / hct / hcu系列
TS EN 190110空的詳細規範：數字微處理器集成電路
TS EN 190116系列特性：Ac mos數字集成電路