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半導體元件標準

我們根據國家和國際法規和標準,按照以下服務標準執行您的測試和檢查程序。 我們符合以下所有標準。

 

TS EN 120001空的細節特徵:發光二極管,發光二極管陣列,沒有內部邏輯和電阻的發光二極管指示器

TS EN 120002空細節特徵:紅外發光二極管,紅外發光二極管陣列

TS EN 120003空白詳細規範:光電晶體管,照片達林頓晶體管,光電晶體管

TS EN 120004空白詳細規範:具有光電晶體管輸出介質聲明值的光電晶體管

TS EN 120005空白詳細規範:光電二極管光電二極管陣列(不用於光纖應用)

TS EN 120007空白詳細信息功能:液晶顯示屏,單色液晶顯示屏,無電子電路

TS EN 60747-16-1半導體器件 - 第16-1部分:集成微波電路 - 放大器

TS EN 60749-10半導體器件 - 機械和空調測試 - 第10部分:機械衝擊

TS EN 60749-11半導體器件 - 機械和空調測試方法 - 第11部分:快速溫度變化 - 雙液浴法

TS EN 60749-12半導體器件 - 機械和空調測試 - 第12部分:振動,變頻

TS EN 60749-13半導體器件 - 機械和空調測試和方法 - 第13部分:鹽水氣氛

TS EN 60749-2半導體器件 - 機械和空調試驗 - 第2部分:低氣壓

TS EN 60749-3半導體器件 - 空調和機械測試方法 - 第3部分:外部目視檢查

TS EN 60749-4半導體器件 - 機械和空調測試方法 - 第4部分:濕溫穩態,高加速應變測試(hast)

TS EN 60749-6半導體器件 - 機械和空調測試方法 - 第6部分:高溫存儲

TS EN 60749-9半導體器件 - 機械和空調測試方法 - 第9部分:標記的持久性

TS EN 61643-321低壓浪湧保護器件 - 第2部分:雪崩折射二極管的特性(美國)

TS EN 60749-1半導體電路 - 機械和氣候試驗方法 - 第1節:總則

TS EN 60749-5半導體電路 - 機械和氣候試驗方法 - 第5部分:連續狀態溫度濕度斜率(偏壓)壽命試驗

TS EN 60749-8半導體電路 - 機械和氣候試驗方法 - 第8節:密封

TS EN 60749-16“半導體器件 - 機械和氣候測試方法 - 部分16:粒子碰撞噪聲檢測(PIND)”

TS EN 60749-17半導體電路 - 機械和氣候試驗方法 - 第17節:中子輻射

TS EN 60749-18半導體電路 - 機械和氣候試驗方法 - 第18節:電離輻射(總劑量)

TS EN 60749-19半導體電路 - 機械和氣候試驗方法 - 第19節:模具剪切強度

TS EN 60749-22半導體電路 - 機械和氣候試驗方法 - 第22部分:粘合強度

TS EN 60749-31半導體電路 - 機械和氣候試驗方法 - 第31節:塑料封裝電路的可燃性

TS EN 60749-32半導體電路 - 機械和氣候試驗方法 - 第31節:塑料封裝電路的可燃性

TS EN 60749-36半導體電路 - 機械和氣候試驗方法 - 第36節:加速,穩態

TS EN 60749-14半導體電路 - 機械和氣候測試方法 - 第14節:端接的穩健性導致完整性

TS EN 60749-23半導體電路 - 機械和氣候試驗方法 - 第23節:高溫使用壽命

TS EN 60749-24半導體電路 - 機械和氣候試驗方法 - 第24部分:加速防潮性,無偏壓(生病)

TS EN 60749-25半導體電路 - 機械和氣候試驗方法 - 第25部分:溫度循環

TS EN 60747-16-4半導體電路 - 第16-4部分:微波集成電路 - 開關

TS EN 60749-30半導體電路 - 機械和氣候測試方法 - 第30節:在可靠性測試之前對非密封表面貼裝電路進行預處理

TS EN 62384用於發光二極管(LED)模塊的直流(da)或交流(aa)電源的電子控制 - 性能特徵

TS EN 62007-2用於光纖系統應用的半導體光電器件 - 第2節:測量方法

TS EN 60747-16-4半導體元件 - 第16-4部分:微波集成電路 - 開關

TS EN 60749-20半導體元件 - 機械和氣候測試方法 - 第20節:塑料封裝的smd對水分和焊接熱的綜合影響

TS EN 62031 LED模塊 - 用於一般照明 - 安全功能

TS EN 62258-1半導體膜產品 - 第1部分:使用和供應條款

TS EN 60749-19 / A1半導體元件 - 機械和氣候試驗方法 - 第19部分:斷屑強度

TS EN 61975高壓直流安裝 - 系統測試

TS EN 62418半導體器件 - 金屬性能張力試驗

TS EN 60747-16-4 / A1Semi導體元件 - 第16-4部分:微波集成電路 - 開關

TS EN 60947-1:2007 / A1:2011低壓開關設備和控制設備 - 第1部分:一般規則

TS EN 62374-1半導體器件 - 第1部分:門介電膜的時間介電斷裂(tddb)

TS EN 60749-30 / A1半導體元件 - 機械和氣候測試方法 - 第30部分:在可靠性測試之前對非密封表面貼裝元件進行預處理

TS EN 62047-8半導體電路 - 微機電裝置 - 第8部分:測量薄膜伸長性能的帶材彎曲試驗方法

TS EN 60749-15半導體元件 - 機械和氣候試驗方法 - 第15部分:孔安裝元件的釬焊溫度

TS EN 60749-15:2010 / AC半導體元件 - 機械和氣候測試方法 - 第15部分:孔安裝元件的釬焊溫度

TS EN 60749-21半導體元件 - 機械和氣候測試方法 - 第21部分:可焊性

TS EN 60749-29半導體元件 - 機械和氣候測試方法 - 第29部分:鎖定測試

TS EN 62047-5半導體電路 - 微機電設備 - 第5部分:RF MEMS開關

TS EN 62047-7半導體電路 - 微機電設備 - 第7部分:射頻控制和mems baw濾波器供選擇

TS EN 62047-9半導體電路 - 微機電設備 - 第9部分:Mems的闆對板粘合強度的測量

TS EN 60749-40半導體器件 - 機械和空調測試方法 - 第40部分:使用染色裝置測量板邊界下降的測試方法

TS EN 62047-10半導體電路 - 微機電器件 - 第10部分:Mems材料薄膜伸長性能的測量

TS EN 62047-12半導體電路 - 微機電設備 - 第12部分:使用Mems結構的共振振動的薄膜材料的彎曲疲勞試驗方法

TS EN 60749-34半導體元件 - 機械和氣候測試方法 - 第34部分:功率循環

TS EN 60747-15單個半導體元件 - 第15部分:隔離半導體功率元件

TS EN 62047-13:2012(EN)半導體元件 - 微機電元件 - 第13部分:用於測量Mems結構粘附強度的彎曲和斷裂型測試方法

TS EN 62047-14半導體元件 - 微機電元件 - 第14部分:金屬薄膜材料邊界測量方法的測定

TS EN 61954靜態VAR(無功功率)補償器(SVC) - 晶閘管閥門測試

tst ISO / IEC 10373-2識別卡 - 測試方法 - 第2部分:磁條卡  

半導體器件的機械標準化 - 第60191-6部分:表面貼裝半導體器件封裝圖紙的一般規則

TS EN 60749-27 / A1半導體器件 - 機械和氣候試驗方法 - 第27部分:靜電放電(esd)靈敏度試驗 - 機器型號(mm)

TS EN 62031 / A1 LED模塊 - 用於一般照明 - 安全相關功能

TS EN 60191-6-22半導體元件的機械標準化 - 第6-22部分:表面貼裝半導體元件封裝外形圖製備的一般規則 - 用於矽薄步長柵格陣列半導體封裝的矽薄步頂柵陣列和矽薄步胰島柵陣列設計手冊(S-FBGA和S-FLGA)

TSE CLC / EN 62258-4半導體成型產品 - 第4部分:模具用戶和供應商調查

TS EN 60747-5-5獨立半導體器件和集成電路 - 第5-3部分:光電器件 - 光電耦合器

TS EN 60747-16-5半導體元件 - 第16-5部分:微波集成電路 - 振盪器

TS EN 61954 / A1靜態VAR補償器(SVC) - 三極閥測試

TS EN 62047-11半導體元件 - 微機電元件 - 第11部分:微機電系統用獨立材料的線性熱膨脹係數的測試方法

TS EN 62047-18半導體元件 - 微機電元件 - 第18部分:薄膜材料的彎曲試驗方法

TS EN 62047-19半導體元件 - 微機電元件 - 第19部分:電子羅盤

TS EN 60191-3半導體元件的機械標準化 - 第3部分:集成電路外形圖製備的一般規則

TS EN 60191-4半導體元件封裝的機械標準化 - 第4部分:根據型號和編碼系統對半導體元件的封裝主要尺寸進行分類

TS EN 61954 / A1靜態VAR(無功功率)補償器(SVC) - 晶閘管閥門測試(IEC 61954:2011 / A1:2013)

TS EN 60749-26半導體元件 - 機械和氣候測試方法 - 第26部分:靜電放電(ESD)靈敏度測試 - 人體模型(HBM)

TS EN 62047-20半導體元件 - 微機電元件 - 第20部分:陀螺儀

TS EN 62047-21半導體元件 - 微機電元件 - 第21部分:薄膜MEMS材料泊鬆比的測試方法

TS EN 60749-42半導體元件 - 機械和氣候試驗方法 - 第42部分:溫度和濕度試驗箱

TS IEC 60050-521國際電工術語 - 第521部分:半導體元件和集成電路

TS IEC 60191-5半導體電路的機械標準化第5部分:使用自動拼接帶的組合電路封裝的建議

TS EN 62047-1半導體器件 - 微機電器件 - 第1部分:術語和定義

TS EN 62047-26半導體元件 - 微機電元件 - 微型空心針和針結構的描述和測量方法

TS EN 62779-2半導體器件 - 用於人體通信的半導體接口 - 第2部分:界面性能的表徵

TS EN 62779-1半導體器件 - 人體通信用半導體接口 - 第1部分:一般規則

TS EN 62779-3半導體器件 - 用於人體通信的半導體接口 - 第3部分:功能類型和操作條件

TS EN 60749-44半導體元件 - 機械和氣候測試方法 - 半導體器件的中子束輻照單事件效應(SEE)測試方法

TS EN 60191-6-13半導體器件的機械標準化 - 第6-13部分:規則間隔柵格排列(FLGA)和細孔柵格排列(FBGA)(FBGA / FLGA)的設計指南

TS EN 62047-25半導體器件 - 微機電器件 - 第25部分:矽基MEMS生產技術 - 微粘合區域的拉伸壓力和剪切力測量方法

TS EN 62031 / A2 LED模塊 - 用於一般照明 - 安全相關功能

TS EN 60191-1半導體元件的機械標準化 - 第1部分:製備離散元件外形圖的一般規則

半導體器件的機械標準化 - 第60191部分:表面安裝半導體電路封裝外形圖製備的一般規則

TS EN 60191-6-20:半導體器件的機械標準化 - 第2010-6部分:表面貼裝半導體器件封裝草圖製備的一般規則 - 小牽伸j引腳封裝尺寸的測量方法(ktj)

TS EN 60191-6-17:2011半導體器件的機械標準化 - 第6-17部分:堆疊封裝的表面貼裝半導體設計指南包裝圖草圖的一般規則 - 規則間距和規則間距網格佈局的設計指南ppfbga和p-Pflga)

TS EN 60191-6-16半導體元件的機械標準化 - 第6-16部分:bga,lga,fbga和flga的實踐插座和半導體測試術語表

TS EN 60191-6-18半導體器件的機械標準化 - 第6-18部分:製備半導體器件封裝表面貼裝輪廓圖的一般規則 - 圓形柵格陣列設計指南

TS EN 62384 / A1用於發光二極管(led)模塊的直流(da)或交流電(aa)電子控制 - 性能特徵

TS EN 60747-16-1 / A1半導體電路 - 第16-10部分:單芯片微波集成電路技術認證方案(tas)

半導體元件 - 第60747-16部分:微波集成電路 - 開關TS EN 4-2004-1:2011 / A16:4

TS EN 60749-4半導體器件 - 機械和空調測試方法 - 第4部分:濕溫,穩態,高加速強迫試驗(yhzd)

TS EN 60749-6半導體器件 - 機械和空調測試方法 - 第6部分:高溫存儲

TS EN 60749-1半導體元件 - 機械和氣候試驗方法 - 第1部分:總則

TS EN 60749-5半導體元件 - 機械和氣候測試方法 - 部分5:連續狀態,溫度和濕度極化壽命測試

TS EN 60749-8半導體元件 - 機械和氣候測試方法 - 零件8:密封

TS EN 60749-16半導體元件 - 機械和氣候試驗方法 - 第16部分:顆粒衝擊噪聲的測定(PCGT)

TS EN 60749-17半導體元件 - 機械和氣候試驗方法 - 部分17:中子輻照

TS EN 60749-18半導體元件 - 機械和氣候試驗方法 - 部分18:電離輻射(總劑量)

TS EN 60749-19半導體元件 - 機械和氣候試驗方法 - 零件19:斷屑強度

TS EN 60749-20半導體元件 - 機械和氣候測試方法 - 第20部分:塑料封裝表面貼裝元件對濕氣和焊接溫度的影響

TS EN 60749-22半導體元件 - 機械和氣候試驗方法 - 零件22:緊固強度

TS EN 60749-31半導體元件 - 機械和氣候試驗方法 - 零件31:塑料外殼元件的可燃性(內部)

TS EN 60749-14半導體元件 - 機械和氣候測試方法 - 部件14:端子的剛度(腿部完整性)

TS EN 60749-32半導體元件 - 機械和氣候測試方法 - 部件32:塑料外殼元件的易燃性(在外部發生)

TS EN 60749-36半導體元件 - 機械和氣候測試方法 - 部分36:加速,穩態

TS EN 60749-23半導體元件 - 機械和氣候測試方法 - 部件23:高溫工作壽命

TS EN 60749-24半導體元件 - 機械和氣候試驗方法 - 第24部分:加速防潮性 - 非極化,加速應力試驗(ahzd)

TS EN 60749-25半導體元件 - 機械和氣候測試方法 - 部分25:溫度循環

TS EN 60749-30半導體元件 - 機械和氣候測試方法 - 第30部分:在可靠性測試之前對非密封表面貼裝元件進行預處理

TS EN 60749-2半導體器件 - 機械和空調測試方法 - 第2部分:低氣壓

TS EN 60749-20-1半導體元件 - 機械和氣候測試方法 - 第20-1部分:手動運輸,包裝,標記和運輸對水分和焊接溫度的綜合影響敏感的表面貼裝元件

TS EN 60749-27半導體器件 - 機械和氣候試驗方法 - 第27部分:靜電放電(esd)靈敏度試驗 - 機器型號(mm)

TS EN 60749-3半導體器件 - 機械和空調測試方法 - 第3部分:外部外部檢查

TS EN 60749-33半導體電路 - 機械和氣候試驗方法 - 第33部分:加速防潮 - 無偏壓高壓釜

TS EN 60749-35半導體器件 - 機械和氣候試驗方法 - 第35部分:帶塑料蓋的電子元件的聲學顯微鏡

TS EN 60749-37半導體元件 - 機械和氣候試驗方法 - 第37部分:使用加速器降低到地面的試驗方法

TS EN 60749-38半導體元件 - 機械和氣候測試方法 - 第38部分:存儲器半導體元件的小故障測試方法

TS EN 60749-32 / A1半導體元件 - 機械和氣候試驗方法 - 第32部分:塑料外殼元件的易燃性(外部)

TS EN 60749-19 / A1半導體元件 - 機械和氣候試驗方法 - 第19部分:斷屑強度

TS EN 60749-32 / A1:2010半導體元件 - 機械和氣候測試方法 - 第32部分:塑料外殼元件的易燃性(在外部發生)

半導體元件 - 機械和氣候試驗方法 - 第60749部分:可靠性試驗前非密封表面貼裝元件的預處理TS EN 30-2005:1 / A2011:30

半導體元件 - 機械和氣候試驗方法 - 第60749部分:高溫使用壽命TS EN 23-2004:1 / A2011:23

TS EN 61051-1電子設備用壓敏電阻 - 第1部分:一般規範

TS EN 61051-1電子設備用壓敏電阻 - 第1部分:一般規範

TS EN 61954:2011用於電氣傳輸和配電系統的靜態電補償電力電子(ICS)系統的晶閘管閥門測試

TS EN 62047-2半導體電路 - 微機電設備 - 第2部分:薄膜材料的伸長率測試方法

TS EN 62047-4:2010半導體電路 - 微機電設備 - 第4部分:Mems的通用規範

TS EN 62047-3半導體電路 - 微機電設備 - 第3部分:用於伸長率測試的薄膜標準試樣

TS EN 62047-6半導體電路 - 微機電裝置 - 第6部分:薄膜材料同軸疲勞試驗方法

62374-1:2010 / AC:2011半導體器件 - 第1部分:門介電膜的時間介電斷裂(tddb)

TS EN 62415:2010半導體器件 - 恆流電遷移測試

TS EN 62416:2010半導體器件 - Mos晶體管的熱傳輸測試

TS EN 120003空白詳細信息特徵:光電晶體管,光電拉達晶體管,光電晶體管陣列

TS EN 120004空細節特性:帶光電晶體管輸出的光電晶體管

TS EN 120007空白詳細規格 - 液晶顯示器,不帶電子元件的單色LED

TS EN 153000一般規格:離散打印接觸功率半導體器件