作為擁有比全球任何其他認證機構更多的全職審計專家的最大和最有經驗的認證組織之一，我們提供下列所有標準的認證服務。
TS EN 165000-1薄膜和混合集成電路 - 第1部分：一般特性：資格審批流程
TS EN 165000-2薄膜和混合集成電路 - 第2部分：內部目視檢查和特殊測試
TS EN 165000-3薄膜和混合集成電路 - 第3部分：薄膜和集成電路製造商的最終賬戶清單和報告
TS EN 165000-4薄膜和混合集成電路 - 第4部分：客戶信息，產品評估等級計劃和空的詳細規範
TS EN 165000-5薄膜和混合集成電路 - 第5部分：資格認可方法
TS EN 61943集成電路 - 製造應用指南
TS EN 60747-16-3半導體器件 - 第16-3部分：集成微波電路 - 變頻器
TS EN 61523-1延遲和功率計算標準 - 第1部分：集成電路延遲和功率計算系統
TS EN 61967-1集成電路-150 kHz至1 ghz-電磁傳播測量 - 第1節。 一般條款和食譜
TS EN 61967-4集成電路-150 kHz至1 gHz電磁發射測量 - 第4部分：發射發射的測量-1 / 150直接耦合方法
TS EN 60747-16-10半導體電路 - 第16-10部分：單芯片微波集成電路技術認證方案（tas）
61967 KHz - 2 GHz中電磁傳輸的測量 - 第150節：空氣發射的測量 - TEM單元和寬帶TEM單元法
TS EN 60747-16-4半導體元件 - 第16-4部分：微波集成電路 - 開關
TS EN 60747-16-4 / A1半導體元件 - 第16-4部分：微波集成電路 - 開關
TS EN 62258-2半導體膜產品 - 第2部分：數據交換格式
TS EN 61967-8集成電路 - 電磁傳輸測量 - 第8部分：輻照傳輸的測量 - IC條帶法
TS EN 62132-8集成電路 - 電磁抗擾度測量 - 第8部分：輻照抗擾度測量 - IC帶狀線方法
IEC 60191-5半導體元件的機械標準化 - 第5部分：自動接頭應用於集成電路封裝的建議
TS EN 62215-3集成電路 - 脈衝抗擾度的測量 - 第3部分：異步瞬態注入法
TS EN 62132-1集成電路 - 電磁抗擾度的測量 - 第1部分：一般要求和定義
TS EN 62433-4 EMC IC建模 - 第4部分：RF免疫行為仿真的集成電路模型 - 導電抗擾度建模（ICIM-CI）
TS EN 60747-16-10半導體元件 - 第16-10部分：單芯片微波集成電路技術認證方案（tas）
TS EN 60747-16-3 / A1半導體元件 - 第16-3部分：微波集成電路 - 變頻器
TS EN 61964集成電路 - 存儲器件 - 引腳配置
TS EN 61967-5集成電路 - 150 khz - 1 ghz電磁輻射的測量 - 第5部分：接觸傳輸的測量 - 台式法拉第籠法
TS EN 61967-6集成電路 - 150 khz - 1 ghz電磁輻射的測量 - 第6部分：接觸傳輸的測量 - 磁探針法
TS EN 61967-4 / A1集成電路-150 kHz至1 ghz電磁發射測量 - 第4部分：發射發射的測量-1 / 150直接耦合方法
TS EN 61967-6 / A1集成電路 - 150 khz - 1 ghz電磁輻射的測量 - 第6部分：接觸傳輸的測量 - 磁探針法
TS EN 62090使用條形碼和二維符號的電子元件的產品包裝標籤
TS EN 62132-5集成電路 - 頻率範圍為150 khz至1 gHz的電磁抗擾度測量 - 第5部分：測試台的法拉第籠方法
TS EN 62132-3集成電路 - 頻率範圍為150 khz至1 gHz的電磁抗擾度測量 - 第3部分：質量電流注入法
TS EN 62132-4集成電路 - 頻率範圍為150 khz至1 gHz的電磁抗擾度測量 - 第4部分：干擾射頻功率的直接方法
TS EN 62132-2：2011集成電路 - 電磁抗擾度測量 - 第2部分：輻照抗擾度測量 - Tem電池和寬帶電池方法
TS EN 62258-5半導體模塑產品 - 第5部分：電氣模擬信息規則
TS EN 62258-6半導體成型產品 - 第6部分：熱模擬信息指南
TS EN 62417半導體器件 - 金屬氧化物半導體場效應晶體管（mosfet）的移動離子實驗
TS EN 62433-2仿真建模 - 第2部分：用於emi行為仿真的集成電路模型 - 通過傳輸進行的傳輸建模（icce-Ce）
TS EN 165000-1薄膜和混合集成電路 - 第1部分：一般特性 - 能力批准程序
TS EN 165000-2薄膜和混合集成電路 - 部分2：內部目視檢查和特殊測試
TS EN 165000-3薄膜和混合集成電路 - 第3部分：薄膜和混合集成電路製造商的自檢清單和報告
TS EN 165000-4薄膜和混合集成電路 - 第4部分：客戶信息，產品評估等級計劃和空白詳細規範
TS EN 165000-5薄膜和混合集成電路 - 第5部分：質量審批流程
TS EN 190000一般功能：單片集成電路
TS EN 190100部分功能：數字單片集成電路
TS EN 190101系列特性：數字集成ttl電路，54，64，74，84系列
TS EN 190102系列特性：Ttl肖特基數字集成電路，54，64，74，84s系列
TS EN 190103系列特性：數字集成ttl低功耗肖特基電路，54ls，64ls，74ls，84ls系列
TS EN 190106系列特性：Ttl先進的低功耗肖特基數字集成電路，54als和74als系列
TS EN 190107系列特性：Ttl快速數字集成電路，54f和74f系列
TS EN 190108系列特性：Ttl高級肖特基數字集成電路，54as和74as系列
TS EN 190109系列特性：數字集成hc mos電路，hc / hct / hcu系列
TS EN 190110空的詳細規範：數字微處理器集成電路
TS EN 190116系列特性：Ac mos數字集成電路