Wir führen Ihre Prüf- und Inspektionsverfahren gemäß den folgenden Servicestandards gemäß den nationalen und internationalen Vorschriften und Standards durch. Wir erfüllen alle unten aufgeführten Standards.
TS EN 120001 Leere Detailmerkmale: Leuchtdioden, Leuchtdiodenarrays, Leuchtdiodenanzeigen ohne interne Logik und Widerstände
TS EN 120002 Leere Detailmerkmale: Infrarot-Leuchtdioden, Infrarot-Leuchtdioden-Arrays
TS EN 120003 Platinendetailspezifikation: Fototransistoren, Fotodarlington-Transistoren, Fototransistoren
TS EN 120004 Blank Bauartspezifikation: Fototransistoren mit deklariertem Wert des Fototransistor-Ausgangsmediums
TS EN 120005 Platinen-Bauartspezifikation: Fotodioden-Fotodioden-Arrays (nicht in Glasfaseranwendungen verwendet)
TS DE 120007 Blank-Detailmerkmale: Flüssigkristallanzeigen, einfarbiger LCD-Bildschirm ohne elektronische Schaltung
TS DE 60747-16-1 Halbleiterbauelemente-Abschnitt 16-1: Integrierte Mikrowellenschaltungen-Verstärker
TS EN 60749-10 Halbleiterbauelemente-Mechanische Prüfungen und Klimaanlagenprüfungen-Teil 10: Mechanische Einwirkungen
TS EN 60749-11 Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren für Mechanik und Klimatisierung - Teil 11: Schnelle Temperaturänderung - Zweifaches Flüssigkeitsbadverfahren
TS EN 60749-12 Halbleiterbauelemente-Mechanische Prüfungen und Klimaanlagenprüfungen-Teil 12: Vibration, variable Frequenz
TS EN 60749-13 Halbleiterbauelemente-Mechanische Prüfungen und Klimaanlagenprüfungen und -methoden-Teil 13: Salzhaltige Atmosphäre
TS EN 60749-2 Halbleiterbauelemente - Mechanische Prüfungen und Klimaanlagenprüfungen - Teil 2: Niedriger Luftdruck
TS EN 60749-3 Halbleiterbauelemente - Klimatisierungs- und mechanisches Prüfverfahren - Teil 3: Externe Sichtprüfung
TS EN 60749-4 Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren für Mechanik und Klimatisierung - Teil 4: Beharrungszustand bei feuchter Temperatur, stark beschleunigter Belastungstest (hast)
TS EN 60749-6 Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren für Mechanik und Klimatisierung - Teil 6: Lagerung bei hohen Temperaturen
TS EN 60749-9 Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren für Mechanik und Klimatisierung - Teil 9: Persistenz der Kennzeichnung
TS EN 61643-321 Komponenten für Niederspannungs-Überspannungsschutzgeräte - Teil 2: Eigenschaften für Lawinenbrechungsdioden (USA)
TS EN 60749-1 Halbleiterschaltungen - Mechanische und Klimaprüfverfahren - Abschnitt 1: Allgemeines
TS EN 60749-5 Halbleiterschaltkreise - Mechanische Prüfverfahren und Klimaprüfverfahren - Teil 5: Prüfung der Lebensdauer der Temperatur-Feuchte-Steigung (Bias) im Dauerbetrieb
TS EN 60749-8 Halbleiterschaltungen - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Abschnitt 8: Abdichtung
TS EN 60749-16 "Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 16: Detektion von Partikelschlaggeräuschen (pınd)"
TS EN 60749-17 Halbleiterschaltungen - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Abschnitt 17: Neutronenstrahlung
TS EN 60749-18 Halbleiterschaltungen - Mechanische und Klimaprüfverfahren - Abschnitt 18: Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis)
TS EN 60749-19 Halbleiterschaltungen - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Abschnitt 19: Die Scherintensität
TS EN 60749-22 Halbleiterschaltungen - Mechanische Prüfverfahren und Klimaprüfverfahren - Teil 22: Klebkraft
TS EN 60749-31 Halbleiterschaltungen - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Abschnitt 31: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Schaltungen
TS EN 60749-32 Halbleiterschaltungen - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Abschnitt 31: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Schaltungen
TS EN 60749-36 Halbleiterschaltungen - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Abschnitt 36: Beschleunigung, stationärer Zustand
TS EN 60749-14 Halbleiterschaltungen - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Abschnitt 14: Robustheit der Integrität der Anschlussleitungen
TS EN 60749-23 Halbleiterschaltungen - Mechanische Prüfverfahren und Klimaprüfverfahren - Abschnitt 23: Lebensdauer bei hohen Temperaturen
TS EN 60749-24 Halbleiterschaltungen - Mechanische und Klimaprüfverfahren - Abschnitt 24: Beschleunigte Feuchtigkeitsbeständigkeit, unverzerrt (krank)
TS EN 60749-25 Halbleiterschaltungen - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 25: Temperaturzyklus
TS DE 60747-16-4 Halbleiterschaltungen - Teil 16-4: Integrierte Mikrowellenschaltungen - Schalter
TS EN 60749-30 Halbleiterschaltungen - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Abschnitt 30: Vorkonditionierung nichthermetischer oberflächenmontierter Schaltungen vor der Zuverlässigkeitsprüfung
TS EN 62384 Elektronische Steuerung für Gleichstrom (da) oder Wechselstrom (aa) für Leuchtdiodenmodule (LED) - Leistungsmerkmale
TS EN 62007-2 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Lichtwellenleitersystemanwendungen - Teil 2: Messverfahren
TS DE 60747-16-4 Halbleiterbauelemente - Teil 16-4: Integrierte Mikrowellenschaltungen - Schalter
TS EN 60749-20 Halbleiterelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Abschnitt 20: Beständigkeit von kunststoffgekapselten SMD gegen die kombinierte Einwirkung von Feuchtigkeit und Lötwärme
TS EN 62031 LED-Module - Für die Allgemeinbeleuchtung - Sicherheitsmerkmale
TS EN 62258-1 Halbleitermembranprodukte - Teil 1: Nutzungsbedingungen und Lieferbedingungen
TS EN 60749-19 / A1 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Spanbruchfestigkeit
TS EN 61975 Hochspannungs-Gleichstrominstallation - Systemtests
TS EN 62418 Halbleiterbauelemente - Prüfung der Spannung von Metalleigenschaften
TS DE 60747-16-4 / A1Halbleiterelemente - Teil 16-4: Integrierte Mikrowellenschaltungen - Schalter
TS DE 60947-1: 2007 / A1: 2011 Niederspannungsschaltgeräte - Teil 1: Allgemeine Regeln
TS EN 62374-1 Halbleiterbauelemente - Teil 1: Zeitabhängiger dielektrischer Bruch für dielektrische Türfolien (tddb)
TS EN 60749-30 / A1 Halbleiterkomponenten - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 30: Vorkonditionierung nicht abgedichteter oberflächenmontierter Komponenten vor der Zuverlässigkeitsprüfung
TS EN 62047-8 Halbleiterschaltungen - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 8: Streifenbiegeprüfverfahren zur Messung der Dehnungseigenschaft dünner Schichten
TS EN 60749-15 Halbleiterelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 15: Löttemperaturbeständigkeit für lochmontierte Elemente
TS EN 60749-15: 2010 / AC-Halbleiterelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 15: Löttemperaturbeständigkeit für lochmontierte Elemente
TS EN 60749-21 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 21: Lötbarkeit
TS EN 60749-29 Halbleiterelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 29: Aussperrprüfung
TS EN 62047-5 Halbleiterschaltungen - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 5: HF-MEMS-Schalter
TS DE 62047-7 Halbleiterschaltungen - Mikroelektromechanische Geräte - Teil 7: Radiofrequenzsteuerung und Mems-Filter zur Auswahl
TS EN 62047-9 Halbleiterschaltungen - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 9: Messung der Plattenklebkraft für Mems
TS EN 60749-40-Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren für Mechanik und Klimatisierung - Teil 40: Prüfverfahren für den Abfall der Plattenbegrenzung unter Verwendung eines Beizgeräts
TS EN 62047-10 Halbleiterschaltungen - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 10: Messung der Dehnungseigenschaften dünner Schichten für Mems-Materialien
TS EN 62047-12 Halbleiterschaltungen - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung von Resonanzschwingungen von Mems-Strukturen
TS EN 60749-34 Halbleiterkomponenten - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Power Cycling
TS DE 60747-15 Einzelhalbleiterelemente - Teil 15: Isolierte Halbleiter-Leistungselemente
EN 62047-13: 2012 (EN) Halbleiterelemente - Mikroelektromechanische Elemente - Teil 13: MEMS Haftstrukturen zur Messung der Biegefestigkeit und Verschleiß von der Art der Testmethoden
TS EN 62047-14 Halbleiterelemente - Mikroelektromechanische Elemente - Teil 14: Bestimmung der Grenzmessmethode für metallische Folienmaterialien
TS EN 61954 Statische VAR-Kompensatoren (Blindleistungskompensatoren) - Prüfungen für Thyristorventile
ISO / IEC 10373-2-Identifikationskarten - Prüfverfahren - Teil 2: Magnetstreifenkarten
TS EN 60191-6-12 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen - Teil 6-12: Allgemeine Richtlinien für die Herstellung von oberflächenmontierten Halbleiterbauelement-Paketen - Planungshandbuch für das Design mit regelmäßigen Abständen (FLGA)
TS EN 60749-27 / A1 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Empfindlichkeitsprüfung der elektrostatischen Entladung (ESD) - Maschinenmodell (mm)
TS EN 62031 / A1 LED-Module - Für die Allgemeinbeleuchtung - Sicherheitsrelevante Funktionen
EN 60191-6-22 Halbleiter elemanar mechanische Standardisierung - Teil 6-22: Surface Mount Yyar leitendes Element Paket Umriss allgemeinen Regeln Silikondünnstufigen Prozess die Illustrationen Ball Grid Array und Silicon Iinan für-Schritt-Inselentwurf für Grid Array Halbleiter-Pakete für die Vorbereitung Handbuch (S-FBGA und S-FLGA)
TSE CLC / DE 62258-4 Halbleiterformteile - Teil 4: Umfrage für Anwender und Lieferanten von Werkzeugen
TS DE 60747-5-5 Einzelne Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise - Teil 5-3: Optoelektronische Bauelemente - Fotokoppler
TS DE 60747-16-5 Halbleiterbauelemente - Teil 16-5: Integrierte Mikrowellenschaltungen - Oszillatoren
TS EN 61954 / A1 Statische VAR-Kompensatoren (SVC) - Widerstandsventiltests
TS EN 62047-11 Halbleiterelemente - Mikroelektromechanische Elemente - Teil 11: Prüfverfahren für lineare Wärmeausdehnungskoeffizienten von freistehenden Materialien für mikroelektromechanische Systeme
TS EN 62047-18 Halbleiterelemente - Mikroelektromechanische Elemente - Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
TS EN 62047-19 Halbleiterkomponenten - Mikroelektromechanische Elemente - Teil 19: Elektronischer Kompass
TS EN 60191-3 Mechanische Normung von Halbleiterelementen - Teil 3: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Übersichtszeichnungen von integrierten Schaltkreisen
TS EN 60191-4 Mechanische Normung für Halbleiterelementgehäuse - Teil 4: Klassifizierung der Gehäusehauptabmessungen für Halbleiterelemente nach Modellen und Kodierungssystemen
TS EN 61954 / A1 Statische VAR-Kompensatoren (Blindleistungskompensatoren) (SVC) - Prüfungen für Thyristorventile (IEC 61954: 2011 / A1: 2013)
TS EN 60749-26 Halbleiterkomponenten - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 26: Empfindlichkeitstests für elektrostatische Entladungen (ESD) - Menschliches Körpermodell (HBM)
TS DE 62047-20 Halbleiterelemente - Mikroelektromechanische Elemente - Abschnitt 20: Gyroskope
TS EN 62047-21 Halbleiterelemente - Mikroelektromechanische Elemente - Teil 21: Prüfverfahren für das Poisson-Verhältnis von Dünnschicht-MEMS-Materialien
TS EN 60749-42 Halbleiterelemente - Mechanische Prüfverfahren und Klimaprüfverfahren - Teil 42: Prüfkammern für Temperatur und Luftfeuchtigkeit
TS IEC 60050-521 Internationales elektrotechnisches Glossar - Teil 521: Halbleiterelemente und integrierte Schaltkreise
TS IEC 60191-5 Mechanische Standardisierung von Halbleiterschaltungen Abschnitt 5: Empfehlungen für kombinierte Schaltungspakete mit automatischem Klebeband
TS EN 62047-1 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 1: Begriffe und Definitionen
TS EN 62047-26 Halbleiterelemente - Mikroelektromechanische Elemente - Beschreibung und Messverfahren für Mikrohohl- und Nadelstrukturen
TS EN 62779-2 Halbleiterbauelemente - Halbleiterschnittstellen für die Kommunikation mit dem menschlichen Körper - Teil 2: Charakterisierung der Schnittstellenleistungen
TS EN 62779-1 Halbleiterbauelemente - Halbleiterschnittstellen für die Kommunikation mit dem menschlichen Körper - Teil 1: Allgemeine Regeln
TS EN 62779-3 Halbleiterbauelemente - Halbleiterschnittstellen für die Kommunikation mit dem menschlichen Körper - Teil 3: Funktionstyp und Betriebsbedingungen
TS EN 60749-44 Halbleiterelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Prüfverfahren mit einem durch Neutronenstrahlen bestrahlten Einzelereigniseffekt (SEE) für Halbleiterbauelemente
TS DE 60191-6-13 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen - Teil 6-13: Entwurfsanleitung für regelmäßige Gitteranordnung (FLGA) und Gitteranordnung von feinen Löchern (FBGA) (FBGA / FLGA)
TS EN 62047-25 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 25: Siliziumbasierte MEMS-Produktionstechnologie - Zugpress- und Scherkraftmessverfahren für Mikrobindungsbereiche
TS EN 62031 / A2 LED-Module - Für die Allgemeinbeleuchtung - Sicherheitsrelevante Funktionen
TS EN 60191-1 Mechanische Normung von Halbleiterelementen - Teil 1: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von diskreten Elementen
TS EN 60191-6 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Übersichtszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterschaltungsgehäusen
TS EN 60191-6-20: Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 2010-6: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Skizzen von Gehäusen für oberflächenmontierte Halbleiterbauelemente - Messverfahren für die Abmessungen von J-Pin-Gehäusen mit geringem Durchzug (ktj)
TS DE 60191-6-17: 2011 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6-17: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Entwurfszeichnungen von Gehäusen für oberflächenmontierte Halbleiter-Konstruktionsrichtlinien für gestapelte Gehäuse - Konstruktionsleitfaden für regelmäßige Abstände und regelmäßige Abstandsraster ppfbga und p-Pflga)
TS DE 60191-6-16 Mechanische Standardisierung von Halbleiterelementen - Teil 6-16: Glossar der Praxisfassungen und Halbleitertests für bga, lga, fbga und flga
TS DE 60191-6-18 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6-18: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen für die Oberflächenmontage von Halbleiterbauelementpaketen - Entwurfsanleitung für das runde Gitterarray
TS DE 62384 / A1 Elektronische Steuerung mit Gleichstrom (da) oder Wechselstrom (aa) für Leuchtdiodenmodule (LED) - Leistungsmerkmale
TS EN 60747-16-1 / A1 Halbleiterschaltungen - Teil 16-10: Technologie-Zulassungsschema für integrierte Einzelchip-Mikrowellenschaltungen (tas)
Halbleiterkomponenten - Teil 60747-16: Integrierte Mikrowellenschaltungen - Schalter TS EN 4-2004-1: 2011 / A16: 4
TS EN 60749-4 Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren für Mechanik und Klimatisierung - Teil 4: Nasse Temperatur, stationärer Zustand, hochbeschleunigter Forciertest (yhzd)
TS EN 60749-6 Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren für Mechanik und Klimatisierung - Teil 6: Lagerung bei hohen Temperaturen
TS EN 60749-1 Halbleiterkomponenten - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 1: Allgemeines
TS EN 60749-5 Halbleiterelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 5: Dauer-, Temperatur- und Feuchtigkeitspolarisationstest
TS EN 60749-8 Halbleiterkomponenten - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 8: Abdichtung
TS EN 60749-16 Halbleiterkomponenten - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 16: Bestimmung des Partikelstoßgeräusches (PCGT)
TS EN 60749-17 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 17: Neutronenbestrahlung
TS EN 60749-18 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 18: Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis)
TS EN 60749-19 Halbleiterelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Spanbruchfestigkeit
TS EN 60749-20 Halbleiterkomponenten - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20: Beständigkeit von kunststoffgekapselten oberflächenmontierten Elementen gegen die Einwirkung von Feuchtigkeit und Löttemperatur
TS EN 60749-22 Halbleiterelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 22: Befestigungsfestigkeit
TS EN 60749-31 Halbleiterelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 31: Entflammbarkeit von Kunststoffgehäuseelementen (innen)
TS EN 60749-14 Halbleiterelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 14: Steifheit der Anschlüsse (Beinintegrität)
TS EN 60749-32 Halbleiterelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Kunststoffgehäuseelementen (im Außenbereich)
TS EN 60749-36 Halbleiterkomponenten - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 36: Beschleunigung, stationärer Zustand
TS EN 60749-23 Halbleiterkomponenten - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 23: Lebensdauer bei hohen Temperaturen
TS EN 60749-24 Halbleiterkomponenten - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 24: Beschleunigte Feuchtigkeitsbeständigkeit - Nicht polarisierter, beschleunigter Belastungstest (ahzd)
TS EN 60749-25 Halbleiterkomponenten - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 25: Temperaturzyklus
TS EN 60749-30 Halbleiterkomponenten - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 30: Vorkonditionierung nicht abgedichteter oberflächenmontierter Komponenten vor der Zuverlässigkeitsprüfung
TS EN 60749-2 Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren für Mechanik und Klimatisierung - Teil 2: Niedriger Luftdruck
TS DE 60749-20-1 Halbleiterelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20-1: Manueller Transport, Verpackung, Kennzeichnung und Transport von oberflächenmontierten Elementen, die empfindlich auf die kombinierte Wirkung von Feuchtigkeit und Löttemperatur reagieren
TS EN 60749-27 Halbleiterbauelemente - Mechanische und Klimaprüfverfahren - Teil 27: Empfindlichkeitsprüfung der elektrostatischen Entladung (ESD) - Maschinenmodell (mm)
TS EN 60749-3 Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren für Mechanik und Klimatisierung - Teil 3: Externe externe Prüfung
TS EN 60749-33 Halbleiterschaltungen - Mechanische Prüfverfahren und Klimaprüfverfahren - Teil 33: Beschleunigte Feuchtigkeitsbeständigkeit - Unversehrter Autoklav
TS EN 60749-35 Halbleiterbauelemente - Mechanische und Klimaprüfverfahren - Teil 35: Akustische Mikroskopie für elektronische Bauelemente mit Kunststoffkappen
TS EN 60749-37 Halbleiterelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 37: Prüfverfahren zum Absenken auf Bodenniveau mit einem Beschleuniger
TS EN 60749-38 Halbleiterelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 38: Verfahren zur Prüfung kleiner Fehler für Speicherhalbleiterelemente
TS EN 60749-32 / A1 Halbleiterelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Kunststoffgehäuseelementen (extern)
TS EN 60749-19 / A1 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Spanbruchfestigkeit
TS EN 60749-32 / A1: 2010 Halbleiterelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Kunststoffgehäuseelementen (im Außenbereich)
Halbleiterkomponenten - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 60749: Vorkonditionierung nicht abgedichteter oberflächenmontierter Komponenten vor der Zuverlässigkeitsprüfung TS EN 30-2005: 1 / A2011: 30
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 60749: Hochtemperaturlebensdauer TS EN 23-2004: 1 / A2011: 23
TS EN 61051-1 Varistoren für elektronische Geräte - Teil 1: Allgemeine Spezifikationen
TS EN 61051-1 Varistoren für elektronische Geräte - Teil 1: Allgemeine Spezifikationen
TS EN 61954: 2011 Prüfungen von Thyristorventilen für statisch elektrisch kompensierte Leistungselektronensysteme (ICS) für elektrische Übertragungs- und Verteilungssysteme
TS EN 62047-2 Halbleiterschaltungen - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 2: Dehnungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
TS EN 62047-4: 2010 Halbleiterschaltungen - Mikroelektromechanische Geräte - Teil 4: Allgemeine Spezifikation für Mems
TS EN 62047-3 Halbleiterschaltungen - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 3: Dünnschicht-Standardprüfkörper für Dehnungstests
TS EN 62047-6 Halbleiterschaltungen - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 6: Verfahren zur koaxialen Ermüdungsprüfung von Dünnschichtmaterialien
62374-1: 2010 / AC: 2011-Halbleiterbauelemente - Teil 1: Zeitabhängiger dielektrischer Bruch für dielektrische Türfolien (tddb)
TS EN 62415: 2010-Halbleiterbauelemente - Konstantstrom-Elektromigrationstest
TS EN 62416: 2010-Halbleiterbauelemente - Heißtransporttest in Mos-Transistoren
TS EN 120003 Leeres Detailmerkmal: Fototransistoren, Fotodarlington-Transistoren, Fototransistor-Arrays
TS DE 120004 Leeres Detailmerkmal: Fototransistor mit Fototransistorausgang
TS EN 120007 Blank - Detailspezifikationen - Flüssigkristallanzeigen, monochrome LCDs ohne Elektronik
TS EN 153000 Allgemeine Spezifikationen: Diskrete Druckkontakt-Leistungshalbleiter