Poskytujeme služby testování, auditu a certifikace pro všechny následující normy. Jsme profesionální a zkušený ve všech operacích.
TS EN 61747-1 Tekutý krystal a polovodičová zobrazovací zařízení - Část 1: Obecná funkce
TS EN 61747-2-2 Obvody displejů s tekutými krystaly - Část 2-2: LCD moduly Matrix Color - Prázdná specifikace specifikace detailů
TS EN 61747-4-1 Obvody displejů s tekutými krystaly - Část 4-1: LCD moduly Matrix Color - Základní deklarace a specifikace
TS EN 61965 Mechanická bezpečnost katodových trubic
TS EN 113001 Prázdné specifikace detailů, trubice kamer
TS EN 61747-5-2 Zobrazovací zařízení s tekutými krystaly - Část 5-2: Požadavky na životní prostředí, metody trvanlivosti a mechanické zkoušky - Vizuální kontrola zobrazovacích modulů s tekutými krystaly s aktivní matricí
TS EN 61747-6-2 Zobrazovací zařízení s tekutými krystaly - Část 6-2: Měřicí metody zobrazovacích modulů z tekutých krystalů - Reflexní typ
TS EN 61988-1 Plazmové displeje - Část 1: Terminologie a symboly písmen
TS EN 61747-6-3 Okruhy indikátorů tekutých krystalů a pevných látek - Část 6-3: Metody měření modulů z tekutých krystalů - Měření ručního pohybu zobrazovacích modulů z tekutých krystalů s aktivní matricí
TS EN 61987-10 / AC Měření a regulace průmyslových procesů - Datové struktury a prvky v katalogech procesního hardwaru - Část 10: Seznam specifikací pro měření a řízení průmyslových procesů pro elektronickou výměnu dat (lop) - Základní pravidla
TS EN Plazmové obrazovky 61988-2-4 - Část 2-3: Metody měření - Kvalita obrazu: Odraz
TS EN 62595-1-2 Jednotka podsvícení LCD - Část 1-2: Terminolji a symboly písmen
61988-2-1: Plazmové obrazovky 2012 - Část 2-1: Metody měření - Optické
TS EN 61747-4 Obvody displejů s tekutými krystaly -Kapitola 4: Zobrazovací jednotky a buňky s tekutými krystaly - Nezbytné vlastnosti a vyhodnocení
TS EN 61747-30-1 Zobrazovací zařízení s tekutými krystaly - Část 30-1: Metody měření pro zobrazovací moduly s tekutými krystaly - transmisivní typ
TS EN 62595-2 Jednotky LCD zpětné vazby - zpětná vazba LED Elektrooptické metody měření
62629-22-1: Obrazové prvky 2013 3D - Část 22-1: Metody měření autostereoskopických displejů - Optické
TS EN 61747-2-1 Displeje z tekutých krystalů - Část 2-1: Monochromatické LCD moduly s pasivní maticí
TS EN 62595-1-1 Jednotka podsvícení LCD-sekce 1-1: Obecné funkce
TS EN 62341-5-3 Organické světelné diody - Část 5 - 3: Zkušební metody pro životnost a retenci obrazu
TS EN 60286-3 Balení součástí pro automatickou obráběcí sekci 3: Balení prvků umístěných na povrchu na souvisle se pohybujících pásech
62629-1-2 Obrazové prvky - Sekce 3-1 Obecné - Termíny a symboly písmen
TS EN 61747-10-1 Displeje z tekutých krystalů - Část 10-1: Požadavky na životní prostředí, trvanlivost a mechanické zkušební metody -Mechanické
TS EN 60286-3 / AC Balení součástí pro automatickou obráběcí část 3: Balení prvků umístěných na povrchu na souvisle se pohybujících pásech
tst CZ 62595-1-2 Jednotka podsvícení LCD - Část 1-2: Symboly terminolgie a písmen
TS EN 50360 / tst A1 Produktová norma, která demonstruje vhodnost mobilních telefonů se základními omezeními elektromagnetických polí (300 mhz-3 ghz), kterým jsou lidé vystaveni
tst CZ 50065-4-6 3 khz - Podpis v elektroinstalacích s nízkým napětím v kmitočtovém rozsahu 148,5 khz - Část 4-6: Oddělovací filtry s nízkým napětím - Úhlová spojka
tst ISO / IEC 8825-2 Informační technologie - Asn.1 šifrovací pravidla: Funkce (balíček) týkající se pravidel pro šifrované šifrování
tst CZ 50065-4-4 3 khz - Signalizace v nízkonapěťových elektrických instalacích v kmitočtovém rozsahu 148,5 khz - Část 4-4: Oddělovací filtr s nízkým napětím - Impedanční filtr
tst CZ 12016 Elektromagnetická kompatibilita - Produktová norma pro výtahy, eskalátory a dopravníky - Imunita
TS EN 50625-2-2 Požadavky na sběr, zpracování a zpracování odpadních elektrických a elektronických zařízení - Část 2-2: Požadavky na zpracování odpadních elektrických a elektronických zařízení včetně CRT a plochých panelových displejů
CZ CZ 50625-2-2 Požadavky na sběr, zpracování a zpracování odpadních elektrických a elektronických zařízení - Část 2-2: Požadavky na zpracování odpadních elektrických a elektronických zařízení včetně CRT a plochých panelových displejů
TS EN 62341-5-3 Organické světelné diody - Část 5 - 3: Zkušební metody pro životnost a retenci obrazu
TS EN 50528 Izolační rukavice pro použití na nízkonapěťových instalacích nebo v jejich blízkosti
TS EN 61747-5-3 Zobrazovací zařízení s tekutými krystaly - Část 5-3: Požadavky na životní prostředí, metody trvanlivosti a mechanické zkoušky - Pevnost a spolehlivost skla
TS EN 61747-1 / A1 Přístroje pro tekuté krystaly a polovodičové displeje - Část 1: Obecná funkce
TS EN 61747-3 Zobrazovací prvky z tekutých krystalů - Část 3: Displeje z tekutých krystalů (lcd) - Součásti součásti
TS EN 61967-5 Integrované obvody - 150 khz - Měření elektromagnetických emisí 1 ghz - Část 5: Měření kontaktních přenosů - Metoda lavičky Faraday cage
TS EN 61967-6 Integrované obvody - 150 khz - Měření elektromagnetických emisí 1 ghz - Část 6: Měření kontaktních přenosů - Metoda magnetické sondy
TS EN 61967-4 / A1 Integrované obvody-150 kHz až 1 ghz měření elektromagnetické emise-část 4: Měření přenášených emisí-1 / 150 přímá metoda spojování
TS EN 61967-6 / A1 Integrované obvody - 150 khz - Měření elektromagnetických emisí 1 ghz - Část 6: Měření kontaktních přenosů - Metoda magnetické sondy
TS EN 62090 Štítky balení výrobků pro elektronické komponenty s použitím čárových kódů a dvourozměrných symbolů
TS EN 62132-5 Integrované obvody - Měření elektromagnetické odolnosti pro frekvenční rozsah 150 khz až 1 gHz - Část 5: Metoda Faradayovy klece pro zkušební tabulku
TS EN 62132-3 Integrované obvody - Měření elektromagnetické odolnosti pro frekvenční rozsah 150 khz až 1 gHz - Část 3: Metoda vstřikování hmoty
TS EN 62132-4 Integrované obvody - Měření elektromagnetické odolnosti pro frekvenční rozsah 150 khz až 1 gHz - Část 4: Přímá metoda interního výkonu
TS EN 62132-2: 2011 Integrované obvody - Měření elektromagnetické odolnosti - Část 2: Měření ozářené imunity - Tem cell a broadband tem cell method
TS EN 62258-5 Produkty pro výrobu polovodičů - Část 5: Pravidla pro informace o elektrické simulaci
TS EN 62258-6 Polovodičové výlisky - Část 6: Pokyny pro informace o tepelné simulaci
TS EN 62417 Semiconductor devices - Mobilní iontové experimenty pro polovodičové tranzistory s polovodičovým efektem oxidů kovů (mosfet)
TS EN 62433-2 Emuční modelování - Část 2: Modely integrovaných obvodů pro simulaci chování emigrantů - Modelování přenosů prostřednictvím přenosu (icce-Ce)
TS EN 165000-1 Filmové a hybridní integrované obvody - Část 1: Obecné vlastnosti - proces schvalování schopností
TS EN 165000-2 Filmové a hybridní integrované obvody - část 2: Interní vizuální kontrola a speciální zkoušky
TS EN 165000-3 Filmové a hybridní integrované obvody - Část 3: Kontrolní seznam a zpráva pro výrobce filmů a hybridních integrovaných obvodů
TS EN 165000-4 Filmové a hybridní integrované obvody - Část 4: Informace o zákaznících, plány pro hodnocení úrovně výrobku a specifikace detailů
TS EN 165000-5 Filmové a hybridní integrované obvody - Část 5: Proces schvalování kvality
TS EN 190000 Obecné vlastnosti: Monolitické integrované obvody
TS EN 190100 Součásti: Digitální monolitické integrované obvody
TS EN 190101 Rodinné vlastnosti: Digitální integrované ttl obvody, 54, 64, 74, řada 84
TS EN 190102 Rodinné funkce: Digitální integrované obvody Ttl schottky, 54s, 64s, 74s, řada 84s
TS EN 190103 Rodinné vlastnosti: Digitální integrované ttl nízkoenergetické schottky obvody, 54ls, 64ls, 74ls, řada 84ls
TS EN 190106 Rodinné funkce: Ttl pokročilé nízkoenergetické digitální integrované obvody Schottky, řada 54als a řada 74als
TS EN 190107 Rodinné vlastnosti: Ttl rychlé digitální integrované obvody, řada 54f a 74f
TS EN 190108 Rodinné funkce: Ttl pokročilé digitální integrované obvody Schottky, řada 54as a řada 74as
TS EN 190109 Rodinné vlastnosti: Digitální integrované obvody hc mos, série hc / hct / hcu
TS EN 190110 Prázdná podrobná specifikace: Digitální mikroprocesorové integrované obvody
TS EN 190116 Rodinné funkce: Digitální integrované obvody Ac mos